LTN經濟通》記憶體榮景暗藏殺機？老鼠屎是它

長鑫存儲和長江存儲正在擴大增產在AI熱潮推動下，記憶體需求大幅飆升，推動記憶體價格成長，不過最近有消息傳出，隨著中國記憶體大廠擴產，大量向市場投放DRAM（動態隨機存取記憶體）和NAND（儲存型快閃記憶體）晶片，記憶體價格可能會暴跌。在全球記憶體價格居高不下的情況下，中國記憶體巨頭長鑫存儲和長江存儲

自由觀點》記憶體榮景殺手 就在白宮一念之間？

【台中】中彰30分鐘生活圈成形！和美橋通車倒數　吸買盤卡位透天、華廈

彰化縣長王惠美近日前往「臺中大肚-彰化和美跨河橋梁工程」視察，並提出「2分鐘到台中」的期許。這項願景不僅象徵中彰交通新紀元，也讓和美地區的房市受到高度矚目。隨著工程進度逼近尾聲，在地鄉親與購屋族都提前關注這座跨河橋梁可能帶來的生活圈效益。

中國晶片產量翻倍也沒用？長鑫存儲「2個關鍵指標」仍輸韓廠

中國記憶體廠正掀起「史詩級」擴產狂潮，指標廠長江存儲與長鑫存儲不僅大舉擴建新廠，更傳出將原定未來的產能計畫大幅提前量產。不過，分析師卻指出，在AI晶片這場競賽中，南韓與台灣依然牢牢掌握主導權，又以SK海力士與台積電被視為關鍵核心，中國企業短期內仍難以全面追趕，尤其是記憶體領域。

阻中國在記憶體市場坐大 美光促美升高管制晶片設備售中

初次上稿04-22 22:32 更新時間 04-23 06：58《路透》報導，知情人士指出，美國最大記憶體製造商美光科技正推動美國國會通過《硬體技術管制多邊協調法案》（MATCH Act），以對其中國競爭對手實施新的晶片製造設備出口管制。MATCH Act法案美國眾議院外交委員會22日投票，法案旨在

中國龍頭記憶體製造商「瓶頸卡很大」 HBM3做不出來、沒訂單

中國國內的記憶體製造商正競相生產高頻寬記憶體（HBM）晶片，但最大的DRAM製造商在HBM3技術方面遇到大阻礙。長鑫存儲在HBM3的生產方面遇到瓶頸，其HBM3記憶體是其第四代HBM解決方案，最初計劃於2026年上半年發布，但尚未接到任何量產訂單。

五角大廈突撤新版中國軍企名單 未說明原因

美國五角大廈今天稍早更新一項被控協助解放軍的中國企業名單，新增阿里巴巴、百度及比亞迪等公司，約1小時後即撤下該名單。當局並未說明撤回原因。路透社報導，這份所謂的「1260H清單」增列上述企業，並移除中國主要記憶體製造商長鑫存儲和長江存儲。此舉引發華府對中鷹派強力抨擊，他們擔心這些企業日益精進的半導體

記憶體嚴重短缺！美國軍工企業黑名單 移除中國長鑫、長江存儲

初次上稿02-13 23:48更新時間02-14 07:22科技媒體wccftech 13日報導，美國五角大廈已將中國記憶體巨頭長江存儲（YMTC）與長鑫存儲（CXMT），從中國軍工企業管制名單中移除，為消費性產品採用中國製DRAM與NAND快閃記憶體打開大門。

牛皮吹破！韓媒揭中國記憶體一哥遇到1慘事

由於記憶體短缺、價格狂飆，傳出中國DRAM龍頭長鑫存儲（CXMT）正大舉擴廠，趁機搶商機。不過，韓媒最新披露，長鑫存儲去年第四季已達到產能高峰，目前正面臨極限，原因是美國出口管制收緊，限制長鑫存儲的產能擴張。另外，長鑫存儲的DRAM良率仍是瓶頸，實際出貨量可能低於預期。

中國狂砸錢追記憶體、韓廠就會被追上？韓媒點破1關鍵「用錢買不到」

中國正以前所未見的速度逼近先進記憶體領域，讓韓美兩國同業明顯感受到壓力。不過，儘管中國狂砸錢，力拚彎道超車，但產業專家普遍認為，韓國記憶體產業的核心優勢依然穩固，因為在這個高度依賴經驗累積的產業裡，資金無法直接換來製程與量產的「熟練度」。據報導，長期被視為落後數年的中國記憶體晶片產業，近年進展明顯加

LTN經濟通》中國DRAM崛起 背後都是這國？

長鑫吸納三星退休工程師　2025年12月，南韓多家主流媒體披露，首爾中央地方檢察廳以違反《不當競爭防止暨營業秘密保護法》與《產業技術保護法》為由，起訴10名前三星電子員工，指控其將DRAM關鍵技術外洩給中國記憶體製造商長鑫存儲（CXMT）。涉案人士涵蓋多名開發負責人與核心工程師，其中甚至包括三星前高

紅色通緝形同虛設 三星10奈米DRAM洩密內鬼仍獲中國續簽

南韓三星電子（Samsung Electronics）近日爆出，公司10奈米級動態隨機存取記憶體（DRAM）核心技術遭前員工洩漏給中國長鑫存儲（CXMT）研發團隊。現有韓媒揭露了涉案前員工的偷竊機密手法與過程，並指出他已在中國滯留長達10年，儘管南韓政府早已註銷其護照並對其發出國際刑警紅色通緝令，但

三星10奈米DRAM技術外流 專家：南韓資安鬆散恐縮短記憶體紅利期

南韓三星電子（Samsung Electronics）近日爆出公司10奈米級動態內存（DRAM）核心技術遭前員工透過內部共享行動指南和暗號，涉嫌洩漏給中國長鑫存儲（CXMT）研發團隊，引發市場關注。對此，數位創作者Eric Lin表示看法，指在AI浪潮推動下，美韓陣營原本寄望能在記憶體領域建立長達3

10奈米DRAM先進製程洩密中國長鑫存儲 南韓5三星電子前員工起訴

《韓聯社》報導，首爾中央地方檢察廳資訊技術犯罪偵查部23日以涉嫌違反「不當競爭防止暨營業秘密保護法」和「防止產業技術外流暨產業技術保護法」，起訴向中國長鑫存儲（CXMT）洩密的三星電子5名前員工，並予以羈押，並以相同罪名起訴長鑫存儲（CXMT）研發團隊的5名員工，但未予羈押。

DRAM技術外流中國長鑫存儲 韓起訴前三星員工等10人

韓國檢方今天表示，包含前三星電子員工在內，有10人因涉嫌將三星的國家核心技術洩漏給中國記憶體晶片製造商長鑫存儲而遭到起訴。韓國「中央日報」報導，遭竊技術是由三星電子（Samsung Electronics）率先研發，外流後據信幫助長鑫存儲（CXMT）成為中國首間及全球第4家量產10奈米級動態隨機存取

英特爾測試黑名單中企設備 引發美國安疑慮

路透報導，兩名知情人士指出，英特爾今年已對與中國關係深厚的美企盛美半導體（ACM Research）晶片製造工具進行測試，該公司兩家子公司去年被美國政府列入制裁名單（黑名單），相關設備可能用於英特爾預定二〇二七年推出的最先進十四A製程產品。

長鑫放話「不用靠外國了」! 三星、海力士緊張了 中國1.8 兆營收恐被吞

中國記憶體晶片製造商長鑫儲存（CXMT）正式發布其最新一代DDR5和LPDDR5X產品。對此，韓媒《Business Korea》指出，在記憶體晶片領域，中韓的技術差距正在急速縮小，目前在通用DRAM市場的差距已不到一年；從技術路線來看，其新品的速度比前一代也提升25%。

中國長鑫存儲成功量產先進DRAM晶片? 韓檢證實竊取三星技術

南韓《中央日報》1日報導，包括1名高級開發工程師在內的3名三星電子前員工，因向中國記憶體晶片大廠長鑫存儲（CXMT）洩露三星電子的尖端DRAM技術，而遭檢方起訴。首爾中央地方檢察廳表示，CXMT在未透露的時間招募了這3人，加入其所謂的「第二開發團隊」，任務是驗證和測試據稱從三星電子竊取的DRAM製程

中國快「芯」肌梗塞了？研調揭密華為AI晶片恐斷炊內幕

陳麗珠／核稿編輯中國加速發展本土AI晶片生產的主要障礙，不僅是中芯國際等公司的產能限制，缺乏HBM（高頻寬記憶體）技術也是一大痛點。根據半導體研究機《SemiAnalysis》最新報告指出，今年年底，中國將面臨HBM供應瓶頸，因為其進口HBM將「耗盡」。如果無法獲得更多的國外的HBM，華為明年甚至無

韓國半導體人才及技術 快被中國挖空

陳麗珠／核稿編輯南韓記憶體產業正遭遇來自中國的嚴峻挑戰，今年第一季長江存儲佔全球快閃記憶體市佔來到8.1%，嚇壞南韓。韓媒披露，中企技術之所以進步神速仰賴挖角和偷技術，不僅挖角三星和SK海力士的人才，還竊取HBM（高頻寬記憶體）等先進技術，甚至繞過美國制裁，不惜開出比行情價高出1.7至2倍的價格，從