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進入搶攻半導體科技 成大、台師大合作成功研發高熵材料
研發團隊核心成員，成大電機施權峰教授（右二）、成大材料劉浩志教授（右一）、成大材料許文東教授（中）、台師大光電楊承山教授（左二）以及成大電機博士生葉政賢（左一）。（成大提供）
〔記者洪瑞琴／台南報導〕成功大學與台灣師範大學合作，成功研發高導電且耐磨的高熵材料，未來將可延伸應用到半導體、連接器、通訊等相關科技產業，提升台灣國際競爭力。
成功大學電機系教授施權峰結合成大材料系教授劉浩志、許文東、台師大光電所教授楊承山以及成大葉政賢博士生等研發團隊，運用鍍膜、計算材料科學、太赫茲（兆赫）光電子學、原子級表面技術，研發出全新的高熵材料，兼具導電又耐磨的特性。這項傑出成果已刊登在國際頂尖期刊「Nature communications」，引起全球關注。
成大表示，研究團隊從光學、力學、電學與計算材料科學的學理出發，提出高熵材料可透過元素線性組合設計電導，並證明電子傳輸行為與電子有效質量、電漿頻率與鬆弛時間有關聯，這是高熵材料領域重要發現，在此基礎上，未來高熵材料設計將更寬廣。
施權峰表示，相關延伸應用能夠帶來半導體、連接器、通訊、被動元件等產業，並帶來突破性革命。
許文東指出，高熵合金過往的研究著重在其機械性質，然對其光學性質和電性質的研究可以拓展其在半導體領域的應用。透過模擬計算的方法，開發高熵和金的光學性質和電性質的預測模型，可以加速這種材料在光電半導體的應用，有助於將此材料推向產業化。
劉浩志表示，高熵材料的研究已經由學理探討，進入了產業應用的階段；這次將高導電低磨耗高熵材料應用在掃描探針量測技術上，確切展現高熵材料的優勢，也開啟更多產業關鍵技術提昇的可能。
楊承山表示，高熵材料全新的電子傳輸與光學特性將決定其可以應用的場域，有助於提升未來光電半導體元件的效能和設計理念，感謝國科會高熵專案計畫多年支持團隊研究。
成大與台師大合作研發高熵材料重要研究論文，刊登於全球頂尖期刊《自然通訊》。（成大提供）
