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進入我團隊研發下個世代記憶體 耗能更低、體積更小登國際發表
我團隊研發下個世代記憶體，耗能更低、體積更小登國際發表。（記者楊綿傑攝）
〔記者楊綿傑／台北報導〕走入5G、AI，還要發展太空，運算需求更大，擁有更強效能記憶體的技術成為關鍵，由清大、台大及工研院共同研發出新型態的「自旋軌道力矩式磁性記憶體」（SOT-MRAM），耗能更低、體積更小，可望成為下一代記憶體的主流，相關成果於今年6月登上世界上最著名的半導體研討會議「2021 Symposia on VLSI Technology and Circuits」發表。
在國研院半導體中心協助下，清大工學院、台大電機系、工研院電子與光電系統研究所共同參與科技部半導體射月計畫，並在設備大廠美商應用材料贊助新型記憶體所需材料幫助下，成功研發出具備垂直異向性的新型態SOT-MRAM，成為英特爾外，世界第二個成功研發的團隊。
國研院半導體中心製程整合組組長李愷信指出，磁性記憶體（MRAM）是未來重要的新穎技術，各半導體大廠都陸續投入，MRAM目前已開發出「自旋轉力矩式磁性記憶體」（STT-MRAM）和 SOT-MRAM，SOT-MRAM 的特點在於比 STT-MRAM 擁有更低的寫入能量和更快的寫入時間，甚至可高達100倍，且原件的耐久力也提升。
李愷信說明，垂直異向性有別於現在水平異向性，將元件中磁極方向旋轉90度，就像把平放的長條磁鐵豎直以節省放置面積，讓元件有機會進一步微縮；而在現有晶片縮小更趨近於困難情況下，透過內嵌的記憶體具有更高效能，將可進一步再提升整體技術，適合應用在講求反應低延時、速度快的自駕車方面。
下個世代磁性記憶體。（圖由國研院提供）
