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進入國研院兩半導體新技術 登國際會議焦點論文
國研院陳旻政博士指出，國研院兩項新技術機有助於提升我國半導體產業競爭力。（記者湯佳玲攝）
〔記者湯佳玲／台北報導〕國家實驗研究院奈米元件實驗室以「奈米級菱形鍺高速通道技術」、「原子級二硫化鉬二維通道技術」等兩項次5奈米世代前瞻元件技術研發為主的6篇論文，獲選於2015年底舉行、全球最重要之頂尖電子元件國際會議「國際電子元件會議」（ IEDM）中發表，其中兩篇更獲選為大會的焦點論文。
2015年底舉行的IEDM中，國研院奈米元件實驗室的6篇論文，與比利時IMEC（20篇）、美國IBM（10篇）、台積電（7篇），以及美國Intel（5篇）等單位，同列本年度的發表數領先團隊。
國研院陳旻政博士指出，「奈米級菱形鍺通道結構」是將鰭式電晶體三個面向的電流通道拓展為四個，並於製程中去除掉通道介面的缺陷，降低元件操作時可能產生的電能量損耗，使電流傳輸速度提高一倍，大幅提升電晶體特性。
另一項是將厚度僅4奈米（6層二硫化鉬分子）的二維二硫化鉬與現今業界主流的鰭式電晶體結構整合，開發出全球第一顆二維二硫化鉬通道的鰭式電晶體元件，搭配特殊的背閘極設計，以「雙閘極」減少漏電流情形，可使用電量減少一半。
