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進入創全國學研單位之先 中山大學突破碳化矽晶體生長關鍵
國立中山大學晶體研究中心創全國學研單位之先，成功生長6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶。左起為團隊成員研究生張晨暘、鄭永旺及博士後研究員李居安。（中山大學提供）
〔記者林曉雲／台北報導〕政府全力推動「護國神山」半導體相關人才培育及學術研發，國立中山大學晶體研究中心創全國學研單位之先，成功生長「6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶」，取得碳化矽晶體生長關鍵突破，將透過技轉助攻台灣產業升級，強化全球市場競爭力。
半導體是我國重要產業，產值突破4兆，加上被動元件、電子零組件，總計每年超過5.5兆元產值，顯示國際對台灣半導體產業需求和重視。第三代半導體材料「碳化矽」（SiC）晶體已被視為重要戰略物資，是發展電動車、6G通訊、國防、航太、綠能的關鍵要素。
中山大學材料與光電科學學系教授兼國際長周明奇今指出，晶體研究中心成功長出六吋導電型N-type 4H碳化矽SiC單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度達到370um／hr，「晶體生長速度更快且具重複性」，國內尚無其他研究單位或大學能做得到，標示第三類半導體碳化矽向前推進的進程。
周明奇說，台灣半導體產業獨步全球，居全球之冠，但在推進高功率元件、電動車及低軌衛星等先進應用的過程，卻缺乏成熟的第三代半導體材料碳化矽的晶體生長技術，發展受限制，中山大學團隊取得碳化矽晶體生長關鍵突破，將進一步透過技轉，為台廠補足半導體產業鏈最尖端戰略know-how，第一階段將技轉至長期產學合作的企業，善用研發成果助攻產業升級。
周明奇也說明，碳化矽製作困難，晶體生長的技術門檻高，需大量時間及經驗，台灣目前的晶體穩定性與良率有待提升，中山大學團隊成功生長的6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，所有關鍵技術與設備設計、組裝全部MIT，不倚賴國外廠商，上下游一條龍自主培養合作廠商生態鏈，從學術研發鏈結到產業製造，更能撙節研發生產成本。
中山大學校長鄭英耀表示，晶體研究中心積極研發晶體生長設備及相關技術，持續攜手醫療、半導體、光學、雷射等產業，獲得國科會及教育部高教深耕計畫的經費挹注，不斷創新突破生長碳化矽晶體的核心技術，透過攝氏2300度以上的超高溫生長出碳化矽晶體，是目前國內學研單位中唯一具備生長大尺寸吋SiC晶體的研究中心。
國立中山大學晶體研究中心創全國學研單位之先，成功生長6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度達到370um／hr，晶體生長速度更快且具重複性（中山大學提供）
