搶攻半導體科技 成大、台師大合作成功研發高熵材料
2024/07/04 14:08
〔記者洪瑞琴/台南報導〕成功大學與台灣師範大學合作,成功研發高導電且耐磨的高熵材料,未來將可延伸應用到半導體、連接器、通訊等相關科技產業,提升台灣國際競爭力。
成功大學電機系教授施權峰結合成大材料系教授劉浩志、許文東、台師大光電所教授楊承山以及成大葉政賢博士生等研發團隊,運用鍍膜、計算材料科學、太赫茲(兆赫)光電子學、原子級表面技術,研發出全新的高熵材料,兼具導電又耐磨的特性。這項傑出成果已刊登在國際頂尖期刊「Nature communications」,引起全球關注。
成大表示,研究團隊從光學、力學、電學與計算材料科學的學理出發,提出高熵材料可透過元素線性組合設計電導,並證明電子傳輸行為與電子有效質量、電漿頻率與鬆弛時間有關聯,這是高熵材料領域重要發現,在此基礎上,未來高熵材料設計將更寬廣。
施權峰表示,相關延伸應用能夠帶來半導體、連接器、通訊、被動元件等產業,並帶來突破性革命。
許文東指出,高熵合金過往的研究著重在其機械性質,然對其光學性質和電性質的研究可以拓展其在半導體領域的應用。透過模擬計算的方法,開發高熵和金的光學性質和電性質的預測模型,可以加速這種材料在光電半導體的應用,有助於將此材料推向產業化。
劉浩志表示,高熵材料的研究已經由學理探討,進入了產業應用的階段;這次將高導電低磨耗高熵材料應用在掃描探針量測技術上,確切展現高熵材料的優勢,也開啟更多產業關鍵技術提昇的可能。
楊承山表示,高熵材料全新的電子傳輸與光學特性將決定其可以應用的場域,有助於提升未來光電半導體元件的效能和設計理念,感謝國科會高熵專案計畫多年支持團隊研究。