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艾司摩爾（ASML）新一代EUV設備。（路透社）
陳麗珠／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕ASML與英特爾本週宣布，達成新一代極紫外光微影設備（High NA EUV）的重要里程碑，其最先進High NA EUV曝光機Twinscan EXE:5000的主要元件，已經啟動，也就是首度打開光源，使光線到達晶圓上的抗蝕層，並開始運作，這表示光源和反射鏡已正確對準。
科技網站《Tomshardware》報導，ASML 的 High-NA EUV 曝光機將提供 0.55 數值孔徑的投影光學器件，單次曝光解析度可低至 8 奈米，比單次曝光 13.5 奈米解析度的典型 Low-NA EUV 還低。第一套系統目前安置在 ASML 荷蘭 Veldhoven 實驗室，第二套系統正在英特爾奧勒岡廠組裝。
ASML 發言人 Marc Assinck 表示，就技術而言，這種「第一束光」實際上是「晶圓上第一束光」，表示光源已經開始工作，現在我們在晶圓上「抗蝕」光子。 ASML 專家仍在荷蘭校準 High-NA 工具，因此該機器尚未列印出第一個測試圖案。
英特爾技術開發總經理 Ann Kelleher 在加州聖荷西舉行的 SPIE 曝光會議上，首度透露這一進展，預計這些新系統將主要用於製程開發。
報導稱，這項里程碑被稱為「矽片上的第一道曙光」，表明 ASML 和英特爾在推進半導體製造技術邁出重要的一步，預計未來幾年英特爾、台積電和三星等，都將採用 High-NA EUV 曝光技術，英特爾則已宣布在14A 製程採用此設備。
ASML的High NA EUV設備，大小約一輛雙層巴士、重量約兩架空巴A320客機，價值高達3.5億歐元，約台幣118億元，ASML稱已獲得10到20筆訂單。
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