粉絲團
三星宣布第8代3D NAND Flash快閃記憶體晶片已進入量產。（彭博）
〔財經頻道／綜合報導〕南韓半導體大廠三星電子（Samsung）週一（7日）宣布第8代3D NAND Flash快閃記憶體晶片已進入量產，其堆疊層數增加到236層，儲存容量達1Tb（128GB），號稱已達到目前業界最高單位容量密度。
韓媒報導，三星新一代快閃記憶體的速度較上一代提高了20%，能夠滿足固態硬碟（SSD）更高性能的需求，同時也可將其應用拓展至汽車市場，此外，三星更表示，將在2030年打造出1000層的快閃記憶體晶片。
為了追求更大容量，各大廠紛紛增加堆疊層數，讓晶片在有限的空間內，儲存更多的資料。目前是美光（Micron）的232層是市場上已量產且堆疊層數最高的3D NAND Flash快閃記憶體產品；另外，SK海力士（SK Hynix）也於今年8月發表238層的產品，不過目前尚未進入量產。
一手掌握經濟脈動 點我訂閱自由財經Youtube頻道
不用抽 不用搶 現在用APP看新聞 保證天天中獎 點我下載APP 按我看活動辦法
