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搶人偷技術沒用 中試產DRAM全敗

中國合肥睿力、福建晉華等DRAM廠,近期試產皆告慘敗。(彭博)

中國合肥睿力、福建晉華等DRAM廠,近期試產皆告慘敗。(彭博)

2017/09/26 06:00

合肥睿力、福建晉華等廠 出現零良率慘狀

〔記者洪友芳/新竹報導〕中國砸大錢補助逾千億人民幣強力扶植半導體業,不僅重金挖角台灣人才,甚至屢傳被高薪挖角者涉嫌偷竊技術;業界傳出,中國宣告要進軍DRAM(動態隨機存取記憶體)的合肥睿力、福建晉華等廠,近期試產皆告慘敗,砸錢挖角卻因技術不足,用偷的根本沒用,中國發展DRAM產業大夢恐寸步難行。

中國近年挖角我DRAM業界人才一波接一波。華亞科前董事長高啟全、前總經理梅國勳紛跳槽紫光集團,華亞科主管與工程師掀起一波出走潮;除紫光外,從華亞科退休的資深副總經理劉大維等一票人跳槽合肥長鑫(睿力集成電路),預計明年切入十九奈米製程生產DRAM;曾任力晶資深副總經理、瑞晶總經理的陳正坤,加入聯電並出任策略合作的福建晉華DRAM廠總經理,聯電接受晉華委託開發DRAM相關製程技術,預計生產三十二奈米製程的DRAM。

但中國半導體砸錢挖人還是不管用,紫光先後對DRAM大廠美光、SK海力士收購邀約被拒,發展DRAM暫告胎死腹中;紫光已併武漢新芯組成長江存儲,發展三D儲存型快閃記憶體(NAND Flash)廠,聯電前執行長孫世偉、聯電新加坡廠高階主管林振堂也被網羅,但能否建立自主技術與量產成功,也是未知數。

業界最近傳出,中國宣告要進軍DRAM的合肥睿力、委由聯電開發DRAM相關製程技術的福建晉華等廠,近期試產DRAM皆告失敗,甚至良率出現零的慘狀。

專利、人力雙缺 中國DRAM夢難實現

業界分析,DRAM專利技術門檻高,韓國三星、SK海力士與美國美光三大DRAM大廠技術防線守得緊、全力圍堵,量產更是打工程人力的團體戰,專利與工程人力兩大條件,中國都欠缺,光靠砸錢挖角,技術卻無著落,用帶槍投靠的「偷」技術方式根本沒用,中國要發展DRAM產業大夢恐難實現。

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