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克服多物理場挑戰 ANSYS 3D晶片堆疊技術獲台積電認證

2019/04/25 18:38

ANSYS(NASDAQ: ANSS)今日宣佈,日前針對台積電 (2330) 創新系統整合晶片 (TSMC-SoIC) 先進3D晶片堆疊技術,所開發的解決方案,已獲台積電認證(路透)

〔記者陳炳宏/綜合報導〕ANSYS(NASDAQ: ANSS)今日宣佈,日前針對台積電 (2330) 創新系統整合晶片 (TSMC-SoIC) 先進3D晶片堆疊技術,所開發的解決方案,已獲台積電認證,除SoIC認證外,台積電也驗證了運用ANSYS RedHawk、ANSYS RedHawk-CTA、ANSYS CMA、和ANSYS CSM的最新Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) 封裝技術參考流程,以及對應的系統層級分析晶片模型,可滿足雲端和資料中心應用持續增長的效能、可靠度和電源需求。

ANSYS表示,SoIC是一種運用Through Silicon Via (TSV,矽導通孔)和chip-on-wafer接合製程,針對多晶粒堆疊系統層級整合的先進互連技術,對高度複雜、要求嚴苛的雲端和資料中心應用而言,能提供更高的電源效率和效能。

其中TSV是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律的互連技術,可堆疊多片晶片,其設計概念來自於印刷電路板,在晶片鑽出小洞,從底部填充入金屬, 矽晶圓上以「蝕刻」或「雷射」方式鑽孔,再以導電材料如銅、多晶矽、鎢等物質填滿,優點在於可提供比打線接合更短的互連路徑、更低的電阻與電感,以及更有效率地傳遞訊號與電力,還擁有不限制裸晶堆疊數量等優勢。

ANSYS的SoIC多物理場 (multiphysics)解決方案,在支援萃取(extraction)多晶粒共同模擬 (co-simulation) 和共同分析 (co-analysis)、電源和訊號完整性分析、電源和訊號電子遷移(electromigration;EM)分析以及熱和熱應力分析等多條件下,獲台積電認證通過採用。

台積電設計基礎架構行銷事業部資深協理Suk Lee表示,雙方合作推出TSMC-SoIC的成果,讓客戶可以滿足雲端和資料中心應用持續增長的效能、可靠度和電源需求。本次合作結合了ANSYS的完整晶片-封裝共同分析(chip-package co-analysis)解決方案及台積電的SoIC先進製程堆疊技術,來因應複雜的3D-IC封裝技術多物理場挑戰。

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