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〔記者洪友芳／新竹報導〕美國記憶體大廠美光（Micron）科技昨宣布，推出採用16奈米製程的三階儲存（TLC）NAND快閃記憶體，並預計今年底量產3D NAND快閃記憶體。美光規劃在中國西安廠等地進行後段封測，市場預估與美光合作在西安投資封裝廠的力成（6239）將接單受惠。
隨著韓國三星（Samsung） 、SK海力士（SK Hynix）量產高容量的TLC NAND快閃記憶體與預備年底進入3D NAND量產，美光也跟進，預估USB及消費性固態硬碟等應用功能將提高。美光預估今年市場對TLC的需求會越來越高，10億位元的NAND快閃記憶體，總出貨量將約占快閃記憶體產品市場的一半。
美光科技儲存事業部行銷總監Kevin Kilbuck表示，該公司快閃記憶體生產基地位於美國與新加坡，新加坡廠將投資40億美元擴增產能，目前沒有計畫到中國投資設廠，但後段封測會在西安廠等地進行。
力成去年底與美光簽訂半導體封裝投資合約，力成透過第三地於中國西安設立子公司，初期投資7千萬美元，6年總投資共約2.1億美元，力成設封裝廠承接美光的標準型DRAM、Mobile DRAM及NAND快閃記憶體等封裝代工業務。目前封裝廠興建中，今年底可望開始量產，明年產能全開。
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