晴時多雲

研發3D鰭式電晶體 胡正明獲獎

2016/12/30 06:00

圖右為胡正明。(記者洪友芳攝)

〔記者洪友芳/新竹報導〕潘文淵文教基金會昨舉行「潘文淵獎」頒獎典禮,今年得獎人為加州大學柏克萊分校講座教授胡正明,他曾回台擔任台積電首任技術長;潘文淵基金會董事長史欽泰表示,胡正明研發的3D鰭式電晶體(FinFET),突破物理極限,使元件更小,能源使用效率提高,堪稱半導體工業40多年來最大變革,他對半導體領域技術與創新發展貢獻卓越,目前仍深耕學術教育,為產學研界培育眾多優秀人才,獲得潘文淵獎實至名歸。

昨天頒獎典禮中,胡正明並與清華大學前校長劉炯朗以「創新人才培育—邁向科技新世代」為題進行高峰論壇,胡正明分享成為「解決問題者」的3大要素,其中喜歡做、願意動手做是成就發明的關鍵。他也呼籲政府應運用新思維,利用教育提供符合產業現況需求的人力資源,用政策幫助企業增加研發投資扶植新產業。

胡正明在半導體領域享譽國際,1999~2000年發明FinFET鰭式電晶體及超薄FD-SOI全耗盡型絕緣上覆矽電晶體,2大革命性創新為半導體帶來新契機,更突破摩爾定律。目前台積電量產的16、10奈米就是應用到胡正明的FinFET技術,製程才得以延續。胡正明在電機工程、半導體元件技術方面也獲獎無數,被美國電機暨電子工程師學會(IEEE)專家譽為「微電子前瞻者」。

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