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三星今年HBM產能擴增將近3倍。（路透社）
陳麗珠／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕韓媒報導，三星執行副總裁兼DRAM產品與科技部長Hwang Sang-joong 近日在加州聖荷西舉行的「Memcon 2024」會議宣布，三星HBM（高頻寬記憶體）產能可望年增2.9倍。
《韓國經濟日報》報導，Hwang Sang-joong 說，在三星第三代HBM2E及第四代HBM3量產後，三星最新12層的第五代HBM3E晶片已開始送樣，今年上半年將大量生產。還有32Gb晶粒的128GB DDR5內存，亦將在今年上半年量產。
為了迎接AI浪潮，三星希望提升高效能、高容量記憶體市場的地位。根據三星公佈的HMB技術藍圖，預計2026年HBM出貨量比2023年高出13.8倍，2028年HBM年比2023年高出23.1倍。
SemiAnalysis 估計，SK海力士HBM市占約73%，三星以22%居次，美光約5%，排第三。
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