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國研院半導體中心與台積電合作開發「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」，於去年底被全球頂尖電子元件會議IEDM選為焦點論文，是全世界極少數成功開發出高密度、高容量之獨立式STT-MRAM製作技術的團隊。（李愷信提供）
〔記者吳柏軒／台北報導〕因應生成式AI（人工智慧）時代到來，前瞻記憶體儲存技術如火如荼研發，國研院半導體中心攜手台積電，合作開發下世代記憶體晶片，將選擇器與磁性記憶體（MRAM）整合，能較傳統的記憶體（DRAM）速度快上千倍，容量堆疊有機會達百倍，功耗則僅10分之1，且不會一關電源就喪失資料，相關成果論文已獲全球頂尖電子元件會議IEDM選為焦點（Highlight Paper）。
國家實驗研究院台灣半導體研究中心今（20日）表示，為滿足快速讀寫、低耗電、斷電後不會遺失資料的前瞻記憶體儲存技術需求，全球各半導體大廠都積極投入研究人力，布局相關技術開發，因此與台積電合作開發之「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」，是全球極少數成功團隊。
半導體中心製程整合組組長李愷信表示，磁性記憶體較傳統記憶體有高速度、高可靠度、小體積、省電等優點，包含DRAM一斷電其儲存資料就消失，MRAM不會。以及MRAM可嵌入CPU、GPU等，運算速度比DRAM快上千倍。且DRAM微縮極限約100奈米，但MRAM可以微縮到20奈米，加上免一直充電，MRAM的功耗僅DRAM的10分之1。
此外，李愷信還說，這次與台積電合作，其帶來關鍵電子元件「選擇器」，並首次與MRAM這類的高階新式記憶體整合，沒想到有不錯特性，藉由3D堆疊將兩者結合，讓全新的磁性記憶體容量有機會較傳統的突破10倍到百倍，實現高速大容量願景。未來可提升生成式AI等應用。
半導體中心主任侯拓宏表示，台灣作為全球半導體晶片製造中心，須及早儲備豐沛的下世代技術開發人才庫，是台灣半導體產業鏈維持競爭力與價值再升級的關鍵。中心會將MRAM相關技術陸續轉為平台服務，幫助產學界培育高階人才。
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