粉絲團
據信長江存儲已成功開發並量產232層NAND快閃記憶體。（路透）
〔編譯魏國金／台北報導〕韓國媒體《BusinessKorea》30日報導，中國記憶體巨頭長江存儲據悉已成功開發並量產232層3D NAND快閃記憶體，縮小了與韓企三星電子與SK海力士的差距。
根據《南華早報》27日報導，半導體分析公司TechInsights在25日的一份報告揭露，他們在7月悄悄推出的1TB消費級固態硬碟（SSD）致鈦（ZHITAI）600中，發現長江存儲生產的232層4層單元（QLC）3D NAND記憶體。
相較之下，SK海力士的NAND最高堆疊層數為238層，三星電子沒有透露相關數據，但坊間據傳為236層。
NAND是一種即使斷電，也能保存數據的記憶半導體，它需要先進的疊層技術。該疊層涉及垂直分層單元，以增加數據容量，是NAND的關鍵競爭元素。不過TechInsights對於長江存儲的3D NAND是否完全以中國設備或元件生產沒有著墨。
在8月華為推出的Mate60 Pro智慧手機採用中芯國際7奈米製程處理晶片後，中國似乎克服美國實施的貿易制裁，並建立其自己的半導體供應鏈。《南華早報》曾於4月報導，在美國對中國實施半導體設備與材料出口管制之際，長江存儲計畫利用本土設備生產先進的3D NAND記憶體。
一手掌握經濟脈動 點我訂閱自由財經Youtube頻道
不用抽 不用搶 現在用APP看新聞 保證天天中獎 點我下載APP 按我看活動辦法
