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包括三星和台積電在內的主要晶片製造商競相生產高性能晶片，在半導體行業低迷的情況下保持競爭力。（路透）
〔財經頻道／綜合報導〕南韓媒體中央日報（Korea JoongAng Daily）報導，包括三星電子和台積電在內的主要晶片製造商競相生產基於新製造技術的高性能晶片，在半導體行業低迷的情況下保持競爭力。最先進的晶片製造技術是3奈米，去年6月三星電子成為全球第一家量產3奈米的公司。台積電在2奈米取得突破，也將採GAA技術並於2023~2024年投產。
生產先進晶片的競爭將歸結為每家公司的技術，儘管在全球電子產品需求疲軟情況下出現了自2009年以來最糟糕的第1季收益報告，但台積電和三星仍然保持樂觀。
三星電子設備解決方案首席執行長Kyung Kye-hyun表示，計劃通過加大對晶圓研發的投資來增強在晶片業的競爭優勢。三星在第1季投資創紀錄的6.58兆韓元用於研發，並在晶片製造基礎設施上投資了創紀錄的10.7兆韓元。
台積電今年計劃在研發方面投資約8.7兆韓元，增長20%。該公司將在今年第2季之前在新竹科學園區建立一個擁有約8000名員工的新研發中心，以開發先進晶片。
三星電子和台積電正邁向下一步，投入數十億美元生產密度更高、效能更強的晶片三星電子晶圓代工部副總裁Jeong Ki-bong在最近的電話會議上表示，第一代3奈米晶片的生產良率已經穩定，第二代3奈米製造正在進行中。
三星電子明年將生產第二代3奈米晶片，2025年生產2奈米，2027年生產1.4奈米。台積電計劃在明年下半年和2月生產增強型3奈米晶片N3E。三星率先在晶片製造中實施了一種新的電晶體GAA技術。
GAA技術提高了晶片的電晶體管密度並提高能效，與廣泛使用的finFET技術相比，該設計允許更多擴展和靈活的電流流過電晶體管柵極的通道。台積電將 finFET 技術用於3奈米晶片，在2奈米取得突破，也將採GAA技術並於2023~2024年投產。
台積電在2023年北美技術研討會上介紹先進晶片製造路線圖，商展示了N3P，這是一種增強的3奈米工藝，可提供更好的功率、性能和密度，N3X為一種為高性能計算應用量身定制工藝，以及N3AEs用於汽車應用的晶片。台積電表示，簽署了一些大牌客戶，如輝達、高通、AMD和聯發科。
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