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韓媒報導，三星電子預計年內發布236層NAND快閃記憶體。（示意圖，美聯社）
〔財經頻道／綜合報導〕韓媒報導，繼SK海力士（SK Hynix）、美光（MicronTechnology）相繼宣布成功開發出其最先進238層、 232層快閃記憶體晶片後，三星電子（Samsung Electronics ）也不落人後，預計將在今年內發布236層NAND快閃記憶體。
韓媒《BusinessKorea》報導，目前三星電子NAND快閃記憶體晶片層數記錄是176層，該公司力拼在今年內，憑藉其生產技術和價格和性能的競爭力將層數增加60層至236層。
不僅如此，報導指出，三星電子還計劃在本月開設一個新的研發中心，該中心將負責開發更先進的NAND快閃記憶體產品。
截至台北時間17日上午11點43分，三星電子股價暫報60800韓圜，跌幅0.33%。
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