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美國參議院週二晚間對「晶片法案」程序性表決過關，以「64對34」壓倒性票數通過展開辯論，力拚下週末前可在參院和眾議院表決通過。（美聯社資料照）
抗中崛起、確保國安關鍵法案 延宕年餘終獲進展
〔編譯楊芙宜／綜合報導〕美國參議院週二晚間對「晶片法案」程序性表決過關，以「六十四對卅四」壓倒性票數通過展開辯論，使此攸關美國國家安全、但延宕一年多的法案，終跨過重要里程碑，力拚下週末前可在參院和眾院表決通過。
程序性表決結果，達到參院多數黨領袖舒默設定可將研發獎勵條款納入晶片法案的六十票門檻。該條款由共和黨參議員楊恩（Todd Young）和民主黨參議員席納瑪（Kyrsten Sinema）推動，要求在美國國家科學基金會下設科技和創新局，以支撐基礎與應用研究，並強化科學、技術、工程和數學教育。舒默在投票前，形容該法案是美國「極度、極度」需要的立法。
此法案旨在使美國於科技和先進製造領域對中國更有競爭力，為華府對抗中國崛起及舒緩供應鏈問題的一環，以減少美國公司對外國製半導體的依賴；拜登政府力促國會在八月休會前通過半導體法案。
約540億美元補貼優惠
鼓勵在美投資半導體
法案最終內容雖未在程序表決前公布，但路透引述參院幕僚表示，相關獎勵措施包括對美國半導體公司約五四○億美元的補貼，其中總額約二四○億美元的四年廿五％稅收減免全新措施，鼓勵公司在美國設廠。
彭博引述參院領袖提供的法案草案，提供逾五二○億美元的補貼和稅務優惠，除了將提供資金協助半導體公司在美設立晶圓廠，還包括為生產半導體和半導體設備製造提供廿五％的投資租稅優惠；為國際安全通訊計畫編列五億美元；為勞工訓練編列兩億美元；以及為公共無線供應鏈創新編列十五億美元。
這項立法也須經美國眾議院表決通過。眾院多數的民主黨領袖霍耶爾（Steny Hoyer）表示，眾院民主黨人支持參院版本，即使部分人希望更廣泛的法案，「我們需敲定晶片（獎勵誘因）部分，若我們沒做到這點，將會把晶片製造拱手讓給其他地方」。
彭博報導，當前法案內容措辭禁止投資中國廿八奈米以下晶片廠，但英特爾等企業和美國半導體產業協會（SIA）遊說調整立法內容，希望能允許在中國生產更先進的晶片。
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