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聯電董事會昨通過在新加坡Fab12i廠區投資興建1座晶圓廠計畫，預計於2024年底開始量產。（路透）
2024年底開始量產
〔記者洪友芳／新竹報導〕晶圓代工廠聯電 （2303） 昨（24）董事會通過在新加坡Fab12i廠區投資興建1座晶圓廠計畫，新廠第1期的月產能為3萬片，將量產22/28奈米製程，總投資金額50億美元（約新台幣1400億元），預計於2024年底開始量產。
這是聯電相隔逾20年後，再度啟動赴新加坡投資設廠，聯電表示，5G、物聯網和車用電子大趨勢，帶動客戶對聯電22/28奈米製程需求強勁，因此新廠所擴增的產能也簽訂長期的供貨合約，以確保2024年後對客戶有足夠產能供應。
聯電新廠將生產嵌入式高壓、非揮發性記憶體、混合信號CMOS等產品，廣泛應在智慧型手機、智慧家庭設備與電動車等，希望新廠能滿足上述市場強勁需求，協助紓解22/28奈米晶圓產能結構性的短缺。聯電不擔心2024年底開始量產後，會有供給過剩問題。
聯電因Fab12i廠區的擴建計畫，2022年的資本支出預算將由30億美元提高到36億美元，上修幅度2成。聯電董事長洪嘉聰表示，新加坡有完善的基礎設施、產業鏈及人力資源，聯電擴大在新加坡的12吋晶圓廠營運，這將使聯電的製造能量進一步朝多元化邁進。
業界研判，聯電新增在新加坡投資建廠，應該為了分散風險，因相較台灣，新加坡電力充足、人才取得多元化，又可服務國際整合元件製造（IDM）廠，預期台灣多家在新加坡設廠的封測廠將跟著受惠。
擬配現金股利3元
聯電昨董事會決議股利分派案，擬每股配發現金股利3元，為24年來最高，全由資本公積發放，以昨收盤價51.8元計算，現金殖利率為5.79%。聯電財務長劉啟東表示，透過資本公積配息，股東將可免課所得稅。
聯電受惠28奈米業務明顯成長，去年全年稅後盈餘達557.8億元，年增9成以上，獲利創新高，每股稅後盈餘4.56元。
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