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面對中國傾國家之力，發展化合物半導體，漢磊董事長徐建華指出，因化合物半導體是正在成長的產業，基期又低，各憑本事競爭。（資料照）
〔記者洪友芳／新竹報導〕中國傾國家之力，發展化合物半導體，未來恐會像面板、太陽能產業一般，將對台廠帶來威脅。漢民集團旗下的漢磊董事長徐建華指出，這確實是必須正視的問題，但因化合物半導體是正在成長的產業，基期又低，各憑本事競爭；他對台廠的競爭力還是很有信心。
目前半導體主要以矽為單一元素，市占率超過九成，包括台積電、聯電代工生產的邏輯IC，或三星、美光生產的記憶體，都是矽晶片；兩種元素或以上組合而成的半導體就是化合物半導體，應用最多的是砷化鎵，多用在光纖通訊、無線通訊的晶片，另如氮化鎵被應用於快充產品，電壓大的高功率元件則適用碳化矽，因技術門檻較高，專利多在歐美大廠手中。
漢磊聚焦化合物半導體，是台灣目前唯一已量產碳化矽（SiC）的公司。面對中國大力扶植化合物半導體，徐建華表示，中國的威脅確實需要正視，特別是化合物半導體有國家政策的支持；但因化合物半導體是正在成長中的產業，市場相當大，基期又低，未來各憑本事競爭。
漢磊目前有不少SiC客戶來自中國。徐建華說，漢磊不會把中國當唯一的主要市場，也有與日本等國外整合元件製造（IDM）廠合作；面對中國的競爭與威脅，他相信漢磊還是有一定的競爭力，在台灣也不排除尋求策略合作的機會。
中國近期提出的「十四五（第十四個五年）規劃」，預計以人民幣十兆元發展化合物半導體產業，自稱「第三代半導體」；因中國在第一、二代半導體技術落後，將化合物取名第三代半導體，希望能藉此在全球半導體領域「彎道超車」。
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