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傳三星3奈米良率翻3倍。（示意圖，法新社）
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林浥樺／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕三星電子努力提高3奈米GAA製程良率的舉動眾所周知，消息人士提供了最新進展，聲稱三星已經成功將良率提高到原來的3倍，儘管如此，但三星的3奈米良率仍落後給台積電。
科技網站《WccfTech》引述市場人士Revegnus看法稱，三星的3奈米製程良率一開始雖只有10~20%，但最近已拉升至3倍以上。也就是三星現在3奈米製程良率為30~60%之間。
Revegnus稱，雖然出現了進步，但和使用FinFET製程的台積電相比，三星的3奈米良率依舊較低。不過三星對第二代3奈米GAA製程有著高期望，看好其效能、功耗及面積（Performance，Power，Area；PPA）的前景，有謠言甚至暗示相當於台積電的N3P。
Revegnus表示，消息人士透露，三星3奈米製程的能源效率（power efficiency）、邏輯區域（logic area），都比4奈米FinFET改善20~30%。
《WccfTech》稱，正如之前報導提到的，三星必須進一步提高良率到70%，才能重拾高通等之前客戶的信心。
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