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微矽今掛牌上市，啟動新廠擴產計畫（微矽電子提供）
〔記者洪友芳／新竹報導〕封測廠微矽電子（8162）今（7）日以每股35元正式掛牌上市，開盤漲達47元，盤中最高為48.5元，上漲13.5元、漲幅3.85%。
微矽電子董事長張秉堂表示，隨著節能趨勢成形，各家積極投入氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）等化合物半導體解決方案，公司為滿足客戶需求，也啟動擴產計畫，新建廠房預計第2季無塵室完工並搬進機台，貢獻下半年營運。
張秉堂表示，與傳統的矽基半導體相比，化合物半導體具有更高的耐壓、耐熱、耐輻射等特性，快速充電器、AI伺服器、無人機、家電、5G通訊、電動車、太陽能、風電、儲能系統等領域具有較佳的應用前景。微矽電子深耕化合物半導體領域多年，具備氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）晶圓測試的技術與經驗，並已取得多家晶圓廠與IC設計公司的認證。
張秉堂進一步表示，公司在2014年即切入氮化鎵（GaN）晶圓測試領域，具有多年氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）晶圓測試領域的開發經驗，其中，氮化鎵（GaN）也與國內外多家晶圓廠與IC設計公司合作開發測試，並已累積相當的銷售實績，對於氮化鎵（GaN）的材料特性與元件特性，可以充分掌握，未來隨著終端產品對氮化鎵（GaN）的需求成長，公司可快速導入量產，帶動未來成長契機。
此外，他也說，未來隨著車用市場對碳化矽（SiC）的功率元件需求提升，公司也可藉由多年與碳化矽（SiC）客戶長期合作，累積開發驗證與量產經驗，取得國際車用大廠的認證，藉此跨入高規格車用市場領域，成為帶動未來營收成長的另一契機。
張秉堂指出，除了技術領先同業外，公司也持續強化製程管理與提升產能利用率，並加強控管生產成本，在生產技術與先進測試技術上持續進行精進與改良，以增加產品價格競爭力，使產能得到充分且穩定的利用。
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