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世界先進「高功率暨高效能GaN on QST元件與製程技術開發計畫」獲得1.5億元補助。（資料照）
〔記者林菁樺／台北報導〕經濟部日前召開A+企業創新研發淬鍊計畫2024年度第1次決審會議，會中通過4項計畫。其中，世界先進「高功率暨高效能GaN on QST元件與製程技術開發計畫」獲得1.5億元補助金額最高。
經濟部產業技術司表示，世界先進公司擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶於八吋QST基板（GaN-on-QST），以及1200V高效能氮化鎵功率元件製程技術，主要用於車用及工業應用市場。
計畫充分利用GaN-on-QST八吋基板熱匹配特性，預期提升元件耐壓至1200V以上，開發後將可提供更優越的電動車車載充電器、充電樁等高壓高功率系統的元件選擇，結合效能和成本優勢。
根據研究機構Yole預估，2028年GaN整體市場需求將超過20億美元，計畫於今（2024）年啟動，預計於3年內完成開發進入量產，同時整合國內上下游產業，建立完整自主生態供應鏈，預估衍生投資所帶來效益可帶動上下游產業整體潛在就業機會，並以每年超過10%的比例持續成長。
經濟部產業技術司指出，此全方位布局將可強化台灣於化合物半導體領域的自主開發實力，極大化氮化鎵於電動車、數據中心電源系統、再生能源儲能系統等市場的市佔率，進而在全球競爭中獲得戰略優勢。
技術司也通過康淳科技「高離子通量低碳排創新海淡系統之關鍵材料技術開發計畫」、福記冷凍「蛋原料品質暨儲運數位協作開發計畫」，以及安宏生醫「針對雄激素受體：開發前列線癌治療的前導化合物，並推進NMR-AI平台以增強藥物設計能力」計畫，補助金額900萬元到4580萬元不等。
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