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德儀舉行12吋晶圓廠動土典禮，最快2026年投產（德儀提供）
〔記者洪友芳／新竹報導〕德儀（TI）位於美國猶他州Lehi的全新12 吋半導體晶圓廠正式動土。最快將於2026年投產，估計TI於猶他州的兩座晶圓廠全面投產時，每日可製造數以千萬計的類比與嵌入式處理晶片。
TI 總裁兼執行長Haviv Ilan慶祝展開新晶圓廠LFAB2建設的第一階段，猶他州州長Spencer Cox、州立與地方民選官員及社區領導者連袂參與；LFAB2 與TI 目前位於 Lehi 現有的12 吋晶圓廠相連，今年2月間，TI 宣佈位於猶他州的110 億美元投資案計畫，創下該州史上規模最大的經濟投資，估計LFAB2 將創造約800個 TI新職缺及數千個間接的就業機會。
TI承諾將對高山（Alpine）學區投資900萬美元，開發該州第一個科學、技術、工程與數學（STEM）學習社群，從幼稚園到高中3年級（K-12）的所有學生都適用。這項多年計畫會更深入將STEM概念根植於該區8.5萬位學生的課程中，並且為該區教師和行政人員提供STEM導向的專業發展，這項全區計畫可讓學生習得必要的 STEM 技能，例如批判性思考、協作及透過創意方式解決問題等，使其更有機會在畢業後獲取成功。
TI表示，LFAB2 的目標為100%採用再生能源電力供電，且Lehi先進的12吋設備與製程將可進一步減少廢棄物、用水與能源消耗。相較於TI 在Lehi的現有晶圓廠，LFAB2的預期回收水率可達將近兩倍。
TI指出，LFAB2將可與TI現有的 12 吋晶圓廠相輔相成，包括 LFAB1（猶他州 Lehi）、DMOS6 （德州達拉斯）以及 RFAB1 和 RFAB2（均位於德州 Richardson）。TI 正於德州 Sherman 建造四座新的 12 吋晶圓廠（SM1、SM2、SM3 和 SM4），預計第一座晶圓廠最早將於2025年投產。
隨著 TI 擴大製造規模，預期可透過《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act）獲得支援，可望實現穩定的類比與嵌入式處理產品供應。TI 對製造與技術所挹注的投資，說明公司對長期產能規劃所做的承諾。
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