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首次上稿 12-26 22:13
更新時間 12-27 06:01
荷商ASML是EUV曝光機霸主。（路透社）
〔財經頻道／綜合報導〕為了降低美國晶片禁令衝擊，中企華為日前公開極紫外光（EUV）新技術專利，目的就是想宣稱中國可以生產7奈米以下晶片，卻慘遭外媒打臉，直言申請專利並不等於能夠製造一台EUV曝光機，目前只有荷蘭ASML取得成功。
華為11月向中國國家知識產權申請專利《反射鏡、光刻裝置及其控制方法》，這種方法能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎上進行優化，進而達到勻光的目的。
對此，全球知名硬體網站《Tom's Hardware》稱，EUV曝光機非常複雜，並非申請幾項專利就能生出EUV。一台EUV曝光機有超過10萬個先進零組件，也需要相關上下游產業鏈配合。即使有EUV，還需要測量台與曝光台、能量控制器、遮光器、能量探測器、掩膜版等等。
報導直言，很多公司都試圖開發EUV，最後只有 ASML 經過10多年努力，並在台積電、英特爾及三星的資金支持下，取得成功。如今，台積電、三星、SK 海力士都使用 ASML 的 EUV。
此前，上海微電子也曾宣稱，將在2021-2022年交付第一台28奈米製程的中國產曝光機，至今沒人見過這台傳說中的中國國產曝光機，原因就是上海微電子光有技術、缺乏上下游產業鏈提供相關零組件，根本行不通。
由於美國禁令限制，中國國內至今沒有任何一台EUV，華為急於突圍，展現半導體野心顯而易見，問題是華為缺乏上下游產業鏈支持，什麼時候才能做得出中國製EUV？
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