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美國政府對中國記憶體產業發展採取較嚴格的限制措施，將衝擊南韓兩大廠與長江存儲等中國記憶體廠商。
（路透）
〔記者洪友芳／新竹報導〕TrendForce指出 ，美國商務部這次更新的限制範疇主要在邏輯IC的16/14奈米或更先進製程、還延伸到DRAM的18奈米或更先進製程、NAND Flash 晶片的128層或更高層數產品三個部分。未來隨著禁令影響顯現，美國政府對中國記憶體產業發展採取較嚴格的限制措施，將衝擊南韓兩大廠與長江存儲等中國記憶體廠商崛起。
限制的廣泛程度除了中資企業外，外資位於中國境內的生產基地也需要透過「逐案申請許可」方式方能持續取得製造相關設備。另針對任何可能使用於軍事用途的晶片，中國也難以透過進口方式持續取得。美國籍人士皆不得非經許可進到中資公司服務。
在DRAM部分，美國將限制在18奈米製程（含）以下設備需要商務部審查後方能進口，此舉將會大幅限制或遞延中國 DRAM未來持續發展。長鑫存儲（CXMT）坐擁中國境內最大中系記憶體市占率，自今年第2季起，該公司致力於 19奈米製程跨入17奈米製程；雖然該禁令發布前已加速購買未來所需機台，但數量上仍顯不足。加上CXMT仍持續興建新廠房，其中含合肥Phase2 與中芯國際商談中的中芯京城，後續都會面臨設備取得的難題。
CXMT外，受到限制令影響的還有南韓SK海力士位於無錫的DRAM生產基地 C2 廠。該廠占全世界總DRAM產能約 13%，其製程轉進已演進到1Y奈米及更先進製程，意即後續的持續新增投產所需設備都要有個案許可證。
TrendForce觀察到，在地緣政治的考量下，雖然當下市場需求低迷，嚴重供需失衡，DRAM市場中的三大原廠仍規劃在未來10年內在母國增建產能，持續降低在中國生產的比重。
在NAND Flash的部分，TrendForce 指出，未來進口中國的 NAND Flash生產設備將受更一步限制，尤其針對128 層（含）以上設備要求事先核准才准進入，預估該法案將大幅衝擊中國YMTC長期廠區升級計畫， 三星（Samsung）西安廠、Solidigm在大連的製程轉進規劃。
TrendForce 指出，此禁令將限制長江存儲（YMTC）進一步擴大客戶版圖，現階段YMTC 已積極送驗SSD產品，希望於2023年成功打入非中國廠商客戶供應鏈。未來隨著禁令影響顯現，美國政府對中國記憶體產業發展採取較嚴格的限制措施，將使得後續非中國客戶對於YMTC的使用與意願大幅限縮。
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