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野村報告表示，碳化矽基板成本，將是提高採用率的關鍵。（彭博資料照）
〔財經頻道／綜合報導〕野村（Nomura）報告表示，企業接連進軍化合物半導體，產業持續成長，其中碳化矽（SiC）基板成本，將是提高採用率的關鍵。報告指出，基板持續佔SiC功率元件總成本最大部份，約49％，其次是磊晶的23％、IC製造20％、封測8％。產業龍頭Wolfspeed仍佔全球60％以上的市場份額，具有強大的議價能力。
目前SiC基板主流製造技術是高溫昇華法（PVT），其次是高溫化學氣象沉積法（HTCVD）。切割、拋光和表面處理技術的發展，包括雷射切割、智慧切割等技術，對於提高SiC基板生產效率，以及降低成本而言相當重要，提升良率和改用8吋基板也是降成本的解決方案。
2021年之前，SiC基板價格每年減20％以上。由於需求增加，以及市場上IGBT（絕緣柵雙極晶體管）供應緊張導致價格居高不下，過去1年SiC基板價格相對穩定。野村認為，6吋SiC基板價格將在2023-26年，以每年5％上下的降幅回落。
現在有愈來愈多參與者想進入SiC產業，但缺乏與領先企業競爭的資金，因此，他們仍需要代工合作夥伴來幫助製造SiC元件。純SiC代工的商業模式可能無利可圖，對於現有的代工廠而言，將傳統產線改為用於SiC元件製造，更具成本效益。
在應用方面，SiC更適合高功率（10kW-1000kW）、低頻（0.1-10kHz）設備，例如汽車和可再生能源應用；氮化鎵（GaN）則適用於低功率（0.01-100kW）、高頻（10k- 10MHz）的應用，例如消費電子、通訊基礎設施、資料中心和汽車。
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