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英飛凌計畫未來將產能重心轉生產第3代半導體。（歐新社）
〔財經頻道／綜合報導〕德國半導體製造大廠英飛凌（Infineon）週四（17日）表示，將投資 20億歐元（約台幣633億），提升WBG（寬能隙）半導體（亦稱第3代半導體）的製造能力。
綜合外媒報導，英飛凌表示，為了提升產能，將在其馬來西亞居林的工廠建立第3個模組，預計6月開始施工，且第一批晶片有機會在2024下半年產出，此新模組將替公司額外創造20億歐元的年營收。
第3代半導體，指的是以氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等化合物為材料的半導體產品，根據研調機構TrendForce預估，2020~2025年，GaN市場將從4800萬美元成長到8.5億美元，年複合成長率為78%；SiC將從6.8億美元成長到33.9億美元，年複合成長率為38%。
英飛凌營運長Jochen Hanebeck表示，除了居林廠，未來幾年也計畫把奧地利菲拉赫工廠的矽半導體工廠轉換為寬能隙半導體設備。
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