中山大六吋碳化矽晶體塊材 5年5000萬技轉

〔記者許麗娟／高雄報導〕國立中山大學晶體研究中心是台灣唯一能生長次世代（第三類）半導體碳化矽（SiC）的實驗室，並已率先成功生長出直徑六吋的碳化矽晶體塊材，今年七月起技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團，簽訂五年五千萬元技術移轉，助攻台灣半導體材料領航優勢。

中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇指出，次世代半導體材料碳化矽晶體具備低耗損、高功率、低雜訊、散熱佳等不可取代的特性，是國家的重要戰略物資，可多元應用於電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域，中山大學團隊創全國學研單位之先，已取得晶體生長關鍵突破，成功生長六吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，並在品質穩定、生長速度等面向持續優化。

請繼續往下閱讀...

周明奇說，在研發過程中，團隊攜手台灣企業共同創新，例如長晶設備包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體百分之百台灣製，長晶爐是由中山大學創新育成中心孵化的企業所打造，坩堝（存放碳化矽原物料的容器）及石墨等隔熱材料更有賴在地企業中鋼、中碳的應援。

七月起，中山大學將六吋碳化矽晶體相關技術移轉至台灣應用晶體公司及其所屬集團，並簽訂五年五千萬的高額技轉案，以每年一千萬專屬授權的買斷合約形式進行，周明奇說，這代表該集團正式跨入次世代半導體領域。雙方未來五年在六吋、八吋大尺寸的導電型與半絕緣型4H、6H碳化矽單晶都將攜手合作。