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進入行政院會今將通過台版晶片法案 預計明年上路
行政院會今天將通過有「台版晶片法」之稱的「產業創新條例」第10條之2草案。（彭博檔案照）
〔記者鍾麗華／台北報導〕行政院會今天將通過有「台版晶片法」之稱的「產業創新條例」第10條之2草案，給予高科技業提供研發及設備投資抵減營所稅，其中前瞻研發支出抵減率高達25％，為產創最高抵減；先進設備為5％，且無天花板，預計明年起實施至2029年產創落日為止。
財經官員解釋，此次修法是鼓勵台灣半導體等產業領先者，更願意投入研發，並在先進製程持續尋求突破，因此適用對象必須是居國際供應鏈關鍵地位的產業或企業，而適用產業不只半導體，符合條件都可適用，例如5G通訊、電動車等具前景的產業，因此該條文也被外界稱為「護國神山條款」。
現行「產業創新條例」研發投資抵減營所稅為15%，根據草案規定，「於中華民國境內進行技術創新，且居國際供應鏈關鍵地位之公司」，給予25％前瞻研發支出抵減及5％先進設備抵減；兩抵減各自上限為不得超過當年度營所稅30％，兩項合計則為不超過50％。
不過，申請公司須符合三大條件，分別為同一課稅年度內的研發費用與研發費用占營收比率（研發密度）達一定規模，設備投資也須達一定門檻；比照OECD最低稅負制，有效稅率需在15％以上；近3年內無違反環保、勞工或食安相關法律且情節重大情事、有效稅率達一定比率。
由於產創條例已列為立法院本會期優先推動法案，行政院會今天討論通過後將送立法院審議。在適用年限方面，草案72條也明定，自2023年適用到產創落日的2029年，長達7年。而修法通過後，預估包括台積電、聯發科、聯詠、瑞昱、聯電、群聯、日月光、南亞科等企業都有機會適用。
