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DRAM（動態隨機存取記憶體）以電荷來記憶處理資料，MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）是以磁性方向來做為記憶單元，DRAM記憶單元具有電荷代表1，沒有則是0，記憶體必須一直充電，才不會失去原有的1與0訊息，不僅比MRAM耗電，一旦斷電資料就會流失。 MRAM的結構則是像三明治，上層是可自由翻轉的磁鐵，可快速處理資料，底層是像被夾子固定住的磁鐵，負責儲存資料，中間用氧化層隔開，當二磁鐵的磁矩方向相同，自旋電子容易通過，形成低電阻代表1；磁矩方向相反時，變成高電阻，代表0。由於不運算時就不必供電，且運算到一半斷電，資料也不會消失，未來採用磁性記憶體的手機、平板，待機時間至少可延長1倍。（圖：清大提供，整理：記者簡惠茹）
DRAM（動態隨機存取記憶體）以電荷來記憶處理資料，MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）是以磁性方向來做為記憶單元，DRAM記憶單元具有電荷代表1，沒有則是0，記憶體必須一直充電，才不會失去原有的1與0訊息，不僅比MRAM耗電，一旦斷電資料就會流失。
MRAM的結構則是像三明治，上層是可自由翻轉的磁鐵，可快速處理資料，底層是像被夾子固定住的磁鐵，負責儲存資料，中間用氧化層隔開，當二磁鐵的磁矩方向相同，自旋電子容易通過，形成低電阻代表1；磁矩方向相反時，變成高電阻，代表0。由於不運算時就不必供電，且運算到一半斷電，資料也不會消失，未來採用磁性記憶體的手機、平板，待機時間至少可延長1倍。（圖：清大提供，整理：記者簡惠茹）
