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〔記者洪友芳／新竹報導〕晶圓代工大廠聯電（2303）緊鑼密鼓追趕業界14奈米鰭式場效電晶體（FinFET）生產時程，昨宣布與全球IP矽智財授權知名廠商安謀（ARM）、新思科技攜手合作，分別完成測試晶片的設計定案（tape-out），聯電預期今年底開始接受客戶產品的設計定案，為量產預作準備。
相較於韓國三星、台積電（2330）今年紛展開14奈米或16奈米FinFET製程量產，聯電也努力追趕中。聯電指出，ARM Cortex-A系列處理器核心通過聯電高階晶圓製程驗證，即14奈米FinFET製程生產的PQV（process quality verification ）測試晶片已設計定案（tape out）。
聯電並表示，該公司14奈米FinFET製程第二個PQV測試晶片上也納入新思科技嵌入式記憶體IP、記憶體系統測試與修復解決方案，雙方已成功設計定案聯電14奈米FinFET製程PQV，透過此繼續拓展夥伴關係。
聯電認為，14奈米FinFET製程技術驗證是聯電FinFET製程啟動其他IP生態系統的第一步，包括基礎IP矽智財與ARM處理器實體設計。聯電14奈米FinFET製程在128mb SRAM產品良率已展現卓越表現，預計2015年年底接受客戶設計定案，業界估計，聯電量產時程恐約要到2016年下半年。
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