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美國半導體巨頭英特爾（Intel）為推進尖端半導體微影技術發展，今日宣布與艾司摩爾(ASML)長遠合作的最新階段發展。（英特爾提供）
台積電也將跟進 先下單不代表會先量產
〔記者洪友芳／新竹報導〕全球半導體微影設備大廠艾司摩爾（ASML）與英特爾昨共同宣布，英特爾已向ASML下訂業界首台EUVTWINSCAN EXE：5200 系統的訂單，這是1款具備High-NA的極紫外光（EUV）大量生產系統設備，每小時具備200片以上晶圓產能，英特爾預計2025年進入生產階段。
英特爾預計3年後量產
半導體設備業界指出，TWINSCAN EXE：5200系統主要應用在2奈米製程及以下技術，而全球晶圓代工龍頭廠台積電（2330）今年資本支出金額高達400-440億美元，其中有70-80%將用於建置2、3、5、7奈米等先進製程產能，由此可見，台積電今年應也將會下訂EUVTWINSCAN EXE：5200設備，英特爾先下單不代表會先量產。
競爭力 台積電有信心
相較英特爾、三星，台積電在技術製程推進向來採取穩紮穩打策略，總裁魏哲家日前在法說會上重申，3奈米製程延續FinFET架構，進度符合預期，將於今年下半年量產，3奈米量產1年之後，將會量產強化版的3奈米（N3E）。至於2奈米製程將採用環繞閘極（GAA）架構，預計2025年量產，魏哲家不願評論競爭對手，但他強調，台積電2奈米製程技術在密度及效能上將最具競爭力。
英特爾則表示，公司早在2018年即是之前TWINSCAN EXE：5000系統的首位買家，這次新訂購EUVTWINSCAN EXE：5200系統，與ASML合作關係，將隨著英特爾於2025年開始以高數值孔徑EUV進行生產製造而延續下去。
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