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旺宏總經理盧志遠表示，旺宏研發發的3D NAND快閃記憶體，預計今年第4季量產。（旺宏提供）
〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體大廠旺宏（2337）昨召開法說會，總經理盧志遠宣布，公司投入十多年研發的3D NAND（儲存型）快閃記憶體已大有成果，預計今年第4季量產，因獲國際策略性客戶青睞，旺宏將立即啟動擴產計畫，董事會昨核准投資415億元在12吋晶圓廠Fab 5B既有廠房進行擴產，這對旺宏是重要的里程碑。
3D NAND快閃記憶體為立體堆疊技術，較目前平面式2D的技術門檻高很多，全球有3D NAND快閃記憶體技術能力者為三星、SK海力士、美光、鎧俠，旺宏從2007年開始投入研發，近5年逐漸開發出產品技術並即將量產，非常不容易，這也是台灣第一家成功研發出3D NAND快閃記憶體技術的廠商，代表旺宏長期深耕技術的成果，已經與國際大廠並駕齊驅。
盧志遠說，旺宏投入3D NAND快閃記憶體已有成果，4月間已將48層（相當於10奈米）的產品送策略性客戶認證，將於第4季量產約5千片／月產能，出貨對象即合作多年的策略性客戶，96層（相當於7或5奈米）的3D NAND明年可望有機會量產，也是賣給策略性客戶，192層（相當於3奈米）預計最快為2023年。
預計2-3年填滿產能
他表示，因策略性客戶有大量需求，旺宏也決定啟動擴產計畫，昨獲董事會核准投資415億元擴產12吋晶圓廠Fab 5B既有廠房，預計明年第1季完成Fab 5B無塵室、運送天車等設施，2022年底投產，2023年初可望貢獻營收。
盧志遠表示，旺宏預計最快以2-3年完成415億元投資支出、慢則4-5年，看客戶需求與市場變化而定；預計量產後最快2-3年就可填滿產能，盧志遠強調，這項投資「不會使旺宏毛利率受傷」。
旺宏第2季受惠產品價量齊揚，毛利率達39.1%，創12季以來單季新高，稅後淨利為19.25億元，季增1.1倍、年增45%，每股稅後盈餘1.04元，創10季以來新高。第3季是旺季，唯讀式記憶體（ROM）成長性將最大，NOR、NAND快閃記憶體需求也看好，旺宏對第3季、第4季營運展望樂觀。
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