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工研院投入MRAM的新興記憶體研發已達十年以上。圖為工研院去年底於IEDM發表下世代FRAM與MRAM技術。（工研院提供）
〔記者洪友芳／新竹報導〕工研院電子與光電系統研究所所長吳志毅昨表示，人工智慧（AI）與5G時代來臨，高速運算需另搭功能更強的新興記憶體輔助，邏輯IC將磁阻隨機存取記憶體（MRAM）等新興記憶體的異質整合勢在必行，工研院開發MRAM技術已有超過十家半導體廠商進行技術授權或合作。
工研院投入MRAM的新興記憶體研發已達十年以上，吳志毅說，已累積很多的人才與矽智財（IP），他不便透露與台積電等廠商的合作，但已有超過十家半導體廠商進行技術授權或合作，且可確定台積電在新興記憶體發展，工研院會有所貢獻；半導體產業鏈對生產MRAM，從材料到設備已逐漸完備，預計兩到三年將可看到一些物聯網的應用產品出現。
半導體年度盛事「國際超大型積體電路技術研討會」（VLSI）昨在新竹國賓飯店登場，今年大會聚焦最熱門的AI、5G、量子電腦、生物電子醫學等相關技術發展與未來趨勢探討，與會專家看好具備AI的產品，搭配5G無線通訊，將同步帶動高速運算與大量儲存等需求，可望推升半導體產業下一波的成長契機。
吳志毅指出，AI與5G時代來臨，突破既有運算限制的新興記憶體將在未來扮演更重要角色；有別於目前市場主流的DRAM、Flash，MRAM能內嵌在邏輯IC的處理器中，具備非揮發性、讀寫速度快、穩定性與儲存時間長，適合高速運算的需求。
他認為，三星、美光等記憶體大廠以生產大量標準化的DRAM、Flash為主，若要切入新興記憶體發展，技術門檻難度高，台積電擁有邏輯製程技術，要將新興的MRAM內嵌在邏輯IC的處理器中，將佔有優勢。
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