三星第6座晶圓代工廠已經動工,將採5奈米極紫外光(EUV)製程技術,預計在2021年下半年開始量產。(彭博資料照)
預計明年下半年量產
〔編譯盧永山、記者洪友芳/綜合報導〕三星電子表示,在距離首都首爾2小時車程的平澤所設立的第6座晶圓代工廠已經動工,將採5奈米極紫外光(EUV)製程技術,預計在2021年下半年開始量產,以與晶圓代工龍頭台積電(2330)競爭高通(Qualcomm)等大客戶,並降低對波動劇烈的記憶體晶片依賴。
這座新晶圓代工廠最近剛完成破土儀式,將成為5G、高效能運算(HPC)、人工智慧(AI)解決方案的核心製造基地。三星電子發布聲明指出:「新的生產設備將拓展公司的產能。」
Cape投資證券公司分析師朴成勛(Park Sung-soon)表示:「這是三星電子要拉近與台積電之間差距的行動,三星電子在晶圓代工領域仍落後台積電。」
集邦科技的數據顯示,今年第1季三星電子的全球晶圓代工市占率為18%,遠低於台積電的54%。
台積製程領先三星1年
台灣半導體供應鏈指出,受疫情影響,機台設備與裝機時程延宕,三星投產5奈米製程籌備不及,華城廠量產時程也將延到明年;相較之下,台積電領先三星,5奈米製程已開始進入量產,大量開出落在下半年,第3季開始貢獻營收,預計今年貢獻營收目標達10%。市場預估,在5奈米製程上,三星約落後台積電1年時間。
台積電上週宣布,計畫投資120億美元在美國亞利桑那州興建晶圓代工廠,將採用5奈米製程,預計2021年動工,2024年量產。
市場臆測,繼台積電之後,三星電子可能會擴建在德州奧斯汀的晶圓代工廠,以鞏固美國客戶群。若算進平澤廠,三星電子在南韓國內有6條晶圓生產線,美國則有1條。
去年三星電子表示,至2030年前將投資133兆韓元(約1080億美元)生產非記憶體晶片,其中73兆韓元將用於研發,60兆韓元用於興建生產線。
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