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三星電子（歐新社）
調降20% 阻價格下跌
〔編譯盧永山／綜合報導〕三星電子第3季獲利創新高，主要依靠半導體事業拉抬，貢獻度超過70%，但因市場預期半導體景氣將放緩，三星電子為了阻止記憶晶片價格下跌，將調降明年的擴產計畫，預計整體資本支出將減少8%，其中對DRAM的資本支出將大砍20%。
三星電子第3季營業利益增加20%達17.5兆韓元（154億美元），其中半導體事業營業利益占逾13兆韓元。DRAM價格在2年內大漲逾1倍，是帶動三星電子獲利猛增的主因。但DRAM價格似乎已經觸頂，最快在明年初就會下滑。
根據「日經新聞」訪問5位南韓分析師的看法，其中4位認為三星電子會削減明年半導體資本支出，1位則認為會持續增加投資，但增加投資的部分是針對晶圓代工的業務上，對於記憶晶片的投資還是會減少。
NAND快閃記憶體續投資
雖然三星電子針對記憶晶片的整體投資會減少，但在DRAM和NAND快閃記憶體投資仍有所區別。分析師認為，三星電子在DRAM資本支出會減少20%，但在NAND快閃記憶體的投資仍將持續增加，顯示對兩種產品的策略不同。
在NAND快閃記憶體方面，三星電子要搶市占率，增加資本支出來擴大產能，才能與其他業者競爭。但在DRAM方面，由於三星電子在DRAM的市占率已達45%，居全球之冠，因此無須擔心市占率問題。
由於智慧手機成長放緩，數據中心伺服器投資也失去動能，美中貿易戰也可能影響需求，加上許多製造商擴大生產，使得DRAM產能大增，預料明年價格將會下跌，促使三星電子要削減DRAM資本支出，以維持高價水準。
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