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SEMI（國際半導體產業協會）昨指出，今年與明年全球晶圓廠設備支出將持續創新高。（彭博資料照）
中國設備支出 今年增57％
〔記者洪友芳／新竹報導〕SEMI（國際半導體產業協會）昨指出，今年與明年全球晶圓廠設備支出將持續創新高。其中，中國今年晶圓廠設備支出將大增57％，明年更高達60％，增長幅度居冠；不過，因中國進軍DRAM技術無門，業界認為，韓國連續兩年設備支出將下滑，大廠若沒有大舉擴產，DRAM後市應仍穩健可期。
SEMI表示，2016年全球晶圓廠設備支出成長11％、去年更大幅成長38％，預估今年成長9％，明年將增加5％，設備支出連續4年創新高與正成長；其中，中國將是2018、2019年全球晶圓廠設備支出成長的主要推手。
SEMI預測，2018、2019年全球晶圓廠設備支出將以三星（Samsung）居冠，但投資金額較2017年的高點減少。為支援跨國與本土的晶圓廠計畫，2018年中國的晶圓廠設備支出較去年將大幅增加57％，2019年更增加高達60％。中國設備支出金額預計於2019年超越韓國，成為全球支出最高的地區。
韓國繼2017年晶圓廠投資金額刷新紀錄後，預期2018年晶圓廠設備支出將下滑9％，約為180億美元，2019年將再下滑14％，為160億美元。晶圓廠投資金額全球排名第3的台灣，2018年晶圓設備支出將下滑10％，約為100億美元，2019年預估將反彈15％，增達110億美元以上。
中國晶圓代工為主 無法產DRAM
SEMI表示，中國興建中的晶圓廠陸續進入設備裝機階段，將帶動設備支出持續增加。估計去年中國有26座晶圓廠動工，今明兩年將陸續開始設備裝機，目前中國晶圓廠設備投資仍以外資為主，2019年本土企業可望提高晶圓廠投資，佔中國所有相關支出的比重到2019年將提高至45％，較2017年的33％顯著成長；整體產能以儲存快閃記憶體、晶圓代工為主，DRAM技術無門仍無法生產。
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