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工研院與美國加州大學洛杉磯分校未來將共同開發下一代的磁性記憶體，期許樹立創新記憶體新里程碑。圖為半導體晶片示意圖。（工研院提供）
〔記者洪友芳／新竹報導〕磁性記憶體（Magnetic Random Access Memory；MRAM）技術已成為主流，工研院與美國加州大學洛杉磯分校（UCLA）宣布簽署電壓控制式磁性記憶體（VC-MRAM）合作開發計畫，未來將共同開發下一代的磁性記憶體，若開發出來，未來可望減少近百倍能耗，提升逾10倍速度，樹立創新記憶體新里程碑。
經濟部技術處表示，經濟部長期投入資源協助國內半導體產業技術研發，同時也力促工研院投入下世代自旋霍爾式磁性記憶體（SOT-MRAM）技術，研發更快、更穩、不失憶的新世代記憶體技術，並於2019年在全球指標性IEEE國際電子元件會議（IEDM Poster）中發表，其技術成果已逐步產業落地，為臺廠進入新世代記憶體鋪下康莊大道。
工研院指出，UCLA與工研院合作開發電壓控制式磁性記憶體（ VC-MRAM），與SOT MRAM相比，VC-MRAM具有更快寫入速度（縮短50%）、讀寫能耗更低（減少75%）的特性，非常適合AIoT及汽車晶片的應用需求。此次合作，雙方強強聯手，進一步投入創新記憶體科技開發與產業化進程，並強化美國重要合作夥伴的關係，成功協助國內外廠商提升國際競爭力，於下世代先進製程上搶占先機。
工研院電光系統所所長吳志毅指出，AI人工智慧、5G 時代來臨，快速處理大量資料的需求暴增，隨著摩爾定律持續向下微縮，半導體業者開始尋求成本更佳、速度更快、效能更好的解決方案。由於MRAM擁有與靜態隨機存取記憶（SRAM）的寫入、讀取速度，還兼具節能可靠的特色，近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶體與運算的新星。
工研院多年前就深耕MRAM技術，從元件創新、材料突破、電路優化等方式展開研究，成功開發出國際領先的磁性記憶體技術。今年在DARPA與經濟部技術處支持下，與UCLA簽訂合作開發計畫，更成為工研院首個獲得DARPA實際支持的合作案例；未來將以工研院深厚的技術基礎結合UCLA創新概念，深化在VC-MRAM技術的研發，攜手將低耗電與可靠度推進到新層次，進而協助臺灣半導體產業搶攻消費性電子、車用電子與AI人工智慧應用龐大商機 ，站穩供應鏈關鍵位置，樹立國際半導體嶄新里程碑。
UCLA電氣工程特聘教授Kang Wang表示，工研院為國際級的應用研究機構，擁有獨特與強大的專業知識與技術能力，在MRAM技術上更有穩固的基礎與研發實力，如今雙方能攜手合作，勢必能在基礎上往上堆疊，開創更前瞻先進的成果。UCLA電路和嵌入式系統教授和區域總監Sudhakar Pamarti則指出，工研院擁有開發元件、製作驗證的平台與開發經驗，透過實現UCLA製程開發的創新概念，將材料元件的開發往相關應用推進，期待2023年初之時，以世界頂尖的技術，翻轉下世代記憶體里程碑。
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