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富士電機將擴產SiC產能。（碳化矽晶片示意圖，彭博）
〔財經頻道／綜合報導〕為了因應電動車和可再生能源市場對功率半導體的需求增加，日本富士電機（Fuji Electric）預計，從2025財年起，提高功率半導體生產基地富士電機津輕半導體（津輕工廠）的SiC（碳化矽）產能。
《EE Times》報導，未來5年，富士電機將擴大8英寸的晶片前端生產線，對功率半導體相關業務投資達1200億日元（約289億台幣），然而，由於市場需求漸增，富士電機決定追加投資，包括在津輕工廠建設SiC功率半導體生產線，預計投資總額將增加至1900億日元（約458億台幣）。
去年底，日本東芝（Toshiba）、羅沐（Rohm）等半導體大廠也相繼增產節EV用次世代半導體SiC，東芝計劃在2025年擴產至10倍，並計畫於2030年取得全球1成以上的市佔率；羅沐將投資500億日元（約120億台幣），在2025年前將SiC功率半導體產能提高至5倍以上。
根據日本研調機構富士經濟（Fuji Keizai）報告指出，預估今年電動車銷量將超越油電混合車，且受到汽車、電子設備的需求加持，看好SiC功率半導體廠規模將持續擴大。
繼東芝、羅沐後，富士電機也投入生產SiC行列。（圖取自富士電機）
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