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美國加強對中國科技和半導體企業的制裁與管制，中國為了突破美國的季數封鎖，將與日本Nikon、Canon共同研發極紫外光微影（EUV）之外的其他曝光設備；但有專家指出，這個合作很難在短期內取得成功。晶圓示意圖。（資料照，彭博）
〔編譯盧永山／綜合報導〕根據日經新聞報導，美國加強對中國科技和半導體企業的制裁與管制，中國為了突破美國的季數封鎖，將與日本Nikon、Canon共同研發極紫外光微影（EUV）之外的其他曝光設備；但有專家指出，這個合作很難在短期內取得成功。
美國近來以國家安全為由，陸續對華為與中芯國際等企業祭出出口管制。儘管美國政府祭出出口管制，但中國科技和半導體企業仍設法迂迴避開美國的禁令，尋找生路，與日本企業共同研發曝光設備就是一例。
目前，全球只有荷蘭的艾司摩爾 （ASML） 有能力製造EUV，但因其中大部分技術的智財權都掌握在美國手上，在美國的壓力下，荷蘭政府先前就宣布，不允許ASML向中國出口 EUV。
但除了EUV外，其他的曝光設備包括日本的Nikon和Canon也可以生產。知情的業界人士因此指出，中國看準日企的研發能力，計畫由中國企業向上述2家日企提供資金，共同開發除 EUV 以外的新型曝光設備；而為了因應未來的需求，中國政府也開始著手開發半導體製造相關設備和設計軟體。
針對中國準備砸大錢開發曝光設備及相關軟體，有專家指出，晶圓代工龍頭台積電是從 7 奈米加強版才開始採用EUV，但在過程中台積電與 ASML經過 10 年以上的合作與協調，最終才能成功的導入EUV。
因此，即便中國砸大錢與日企合作研發曝光機，短期要能成功則仍是困難重重。此外，在半導體生產中也扮演關鍵角色的軟體部分，有國際電子設計自動化（EDA）大廠指出，EDA的關鍵不在於半導體生產的相關參數，而是在其中都有專利布局的各項演算法，這方面中國廠商很難突破，也就不容易成功。
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