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韓媒指出，若中國長江存儲能維持其100+層3D NAND生產計畫，則南韓和中國晶片廠間的技術差距，恐會縮減至低於兩年。圖為SK海力士的NAND快閃記憶體晶片。（彭博）
〔財經頻道／綜合報導〕中國記憶體晶片大廠長江存儲日前宣布，預計最快於今年底投產其128層QLC 3D NAND快閃記憶體晶片，韓媒對此指出，長江存儲的總部和工廠皆位於武漢，但在武漢肺炎疫情爆發，造成當地停工數月之際，長江存儲的武漢工廠仍照常運轉，其背後恐有中國政府協助，而若長江存儲能維持其100+層3D NAND生產計畫，則南韓和中國晶片廠間的技術差距，恐會縮減至低於兩年。
《Business Korea》今（16）報導，中國企圖實踐在半導體產業自給自足的計畫，已促南韓晶片廠三星電子和SK海力士的市佔率和銷量下降，報導指出，兩公司在2019年第4季，在全球NAND快閃記憶體市場的市佔率分別為35.5％和9.6％，中國企業的全球市佔率卻在同期達到將近一半。
據報導，雖然三星電子和SK海力士，皆在去年生產了兩公司的首批128層NAND快閃記憶體產品，但若中國長江存儲按其規劃，在今年底投入生產該公司首批128層3D NAND快閃記憶體，則南韓和中國晶片廠間的技術差距，恐縮短至低於兩年。
報導另指出，長江存儲的產能恐受中國當局支持，雖然該公司的總部和製造工廠，皆位於爆發武漢肺炎疫情的武漢，但在武漢停工數月期間，長江存儲的工廠仍照常運轉，而此狀況「若沒有中國政府的協助，不可能做得到」。
不過，報導也稱，中國的公司在市場上仍不足以取代三星電子和SK海力士，因為在投資額上，兩公司從2017年到2019年兩年內分別達7.3兆韓元和4兆韓元，中國則計畫自2015年起的10年內，投資約17兆韓元，顯示中國方面的投資額尚不足夠。
但專家也指出，中國企業可能會透過竊取專利和技術、稅收優惠、政府補貼，以及和中國的PC製造商合作，進而快速拓展市場。
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