中國官媒《新華社》17日曾報導,三星(中國)半導體有限公司副總裁池賢基受訪透露,三星將在其西安的儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片廠投資超過140億美元(約新台幣4391億元),但南韓三星對《新華社》的報導表示否認,稱尚未決定對中國西安的NAND晶片廠房進行額外投資。(美聯社)
〔財經頻道/綜合報導〕中國官媒《新華社》17日曾報導,三星(中國)半導體有限公司副總裁池賢基受訪透露,三星將在其西安的儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片廠投資超過140億美元(約新台幣4391億元),但南韓三星對《新華社》的報導表示否認,稱尚未決定對中國西安的NAND晶片廠房進行額外投資。
《路透》17日報導,南韓三星聲明表示,該公司並未如《新華社》報導,將投資西安NAND廠2期項目140億美元,稱其「對第2條生產線的第2期投資額尚未確定,將視市場情況而定」。
科技研究公司TrendForce則在本月初的報告中表示,快閃記憶體價格去年大幅下跌,許多NAND晶片供應商正在放緩擴張計畫,並宣布減產以減少供應。
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