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IC Insight今日發佈預測報告指，半導體整體領域中快閃記憶體佔比最高，達31%；DRAM則是資本支出成長最快的領域。（彭博資料照）
〔編譯吳佳穎／外電報導〕研調公司IC Insight今（29）日發佈預測報告指，今年半導體資本支出總額將首次突破千億美元門檻，達1020億美元，其中記憶體佔過半份額，整體領域中快閃記憶體佔比最高，達31%；DRAM則是資本支出成長最快的領域。
IC Insight今日發佈預測報告，指今年半導體資本支出總額約為1020億美元，較去年成長9%、前年成長33%；並預估今年將有53%資本支出用於記憶體生產，主要為DRAM、快閃記憶體，用於晶圓廠及生產設備升級。
報告並稱，近6年來記憶體資本支出佔整體比重大幅增加，從2013年27%（約147億美元）到2018年53%（540億美元），複合年增率 （2013-2018）約為30%。
近兩年來記憶體資本支出持續成長，其中以DRAM／SRAM支出增幅最大，2017年，DRAM／SRAM支出大增82%，2018年預計也將有41%成長；快閃記憶體支出2017年也有高達91%的成長，今年成長率約為13%，也是今年整體支出佔比最高的領域。
報告示警，指經過2年資本支出大幅增加，記憶體市況可能將面臨產能過剩與價格下降，根據記憶體市場過往經驗，大量資本支出往往導致產能過剩，與隨之而來的價格疲軟。
報告特別點名「3D NAND快閃記憶體」，指該產品未來市場需求風險很高，且正持續增加；報告解釋，未來三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝／威騰／SanDisk、中國記憶體廠武漢新芯（XMC）／長江存儲等廠商計畫投入3D NAND快閃記憶體市場。
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