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圖為SK海力士生產的記憶體晶片。（路透）
〔編譯吳佳穎／外電報導〕2016年底開始，價值1210億美元的全球記憶體市場出現前所未有的榮景，隨著製程提升，記憶體利潤飆升至70%以上。但《路透》分析，隨著技術更新、中國廠商加入，未來NAND快閃記憶體、DRAM榮景將走入尾聲。
報導指出，業界技術更新轉向3D NAND快閃記憶體，組裝成本降低，使今年產量成長速度超過需求，小型晶片商被迫降價以維持市佔率。目前，NAND快閃記憶體價格與2017年的高峰相比近乎腰斬。
市調機構DRAMeXchange分析師Alan Chen表示，目前價格下降速度遠快於成本下降速度，並預測今年NAND快閃記憶體價格將持續走跌。
野村投信則估計今年NAND快閃記憶體供應量將成長40～50%，但在全球智慧型手機需求放緩下，價格將下跌20%。
另一項記憶體產品－DRAM，雖然在電競筆電、挖礦需求下，今年價格成長20%，但未來幾年將面臨中國廠商競爭，也讓DRAM市場前景蒙上一層陰影。
日前中國反壟斷監管部門，針對DRAM三大廠商，三星、SK海力士、美光發起反壟斷調查；此外，「中國製造2025」也以半導體作為重點發展項目，未來中國長江存儲、Innotron Memory、福建晉華將大規模生產記憶體。
南韓研調機構HI Investment＆Securities分析師Song Myung-sup指出，目前中國半導體產量不多，但明年下半年起隨著產能提升，將衝擊全球半導體市場。
不過，也有分析師認為，未來隨著5G、高速運算、自駕車技術發展，將持續提振記憶體市場需求。法巴銀行分析師Peter Yu認為，儘管成長動能消失，但2019年記憶體市場仍可維持900億美元（約新台幣2.76兆元）的淨利水平，不至於嚴重崩盤。
近期SK海力士、三星、日商東芝將分別在7/26、7/31、8/8公佈財報。目前市場預期三星Q2晶片部門利潤將成長50%，達12.5兆韓元（約新台幣3375億元）、SK海力士預期也將成長74%，達5.4兆韓元（約新台幣1458億元）。
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