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進入台灣半導體重要推手 中研院院士馬佐平逝世享壽75歲
曾擔任台積電多年顧問的中研院院士馬佐平今年4月6日在美國辭世，享壽75歲。（翻攝自中研院網站）
〔記者楊媛婷／台北報導〕曾於2001年到2014年擔任台積電顧問的中研院院士馬佐平於今年4月6日在美國過世，享壽75歲。
中研院指出，馬佐平為半導體物理及科技領域先驅，亦對台灣半導體產業及電子業貢獻良多。
馬佐平畢業於台大電機系，於1974年取得耶魯大學博士後，進入IBM從事研究工作，1977年起於耶魯大學任教，期間兩度出任電機工程系主任，對推動研究及人才培養不遺餘力。
馬佐平的研究領域包含半導體、積體電路、前緣記憶儲存科技及電晶體材料等，皆有傑出貢獻。其首倡以氮化矽作為MOS柵介質來取代二氧化矽，為往後高介質常數柵的介質研究帶來重要啟發，帶領半導體科技領域開創嶄新時代。
中研院表示，除學術研究外，30多年來馬佐平經常往返美國與台灣講學及與國內產業界進行研究交流，也曾擔任台積電與旺宏電子顧問逾10年，培育出許多具影響力的優秀人才。
馬佐平為美國國家工程院院士、美國電機及電子工程學會（IEEE）Fellow，並於2005及2008年分別獲頒IEEE「葛洛夫」獎及美國康乃狄克科技勳章等殊榮。於2012年當選為本院第29屆院士。
