〈封面故事-DRAM〉記憶體明年供需 看3大廠臉色


2018-10-08

記者洪友芳/專題報導

DRAM(動態隨機存機記憶體)因供給不足,價格連漲2年多,不過今年第4季已出現下跌走勢,市場預期明年成長動能將趨平緩,不僅不會缺貨,還可能因三大廠擴產轉為供給過剩,影響價格下跌,三大廠投資擴產動向將是市況觀察指標。

明年供需情況 看三大廠擴產動向

市場調查機構IC Insights日前指出,今年整體晶片市場的銷售成長率估約16%,其中估DRAM今年銷售將成長39%,增幅高居各類晶片之首,但相較去年漲價幅度較高、年銷售增加77%,今年成長幅度縮減,DRAM均價與市場成長已經觸頂或接近觸頂,從三大廠紛提高資本支出、進行產能升級與擴產計畫來看,預期2019年DRAM快速成長將止住。

根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,DRAM價格經過9個季度上漲後,今年第3季雖值傳統旺季,價格卻開始走弱,終結多頭走勢,出現小跌,第4季各類DRAM價格跌幅進一步擴增達5%左右。

業界認為,美中貿易戰將影響明年終端市場需求,預期明年DRAM市況成長動能將趨平緩,價格走勢難料,三星、SK海力士與美光三大廠的投資擴產動向將是重要關鍵,目前DRAM仍是三大廠獲利主要來源,若擴產計畫延緩,可望對後市價格形成有利支撐;但三大廠若加速擴產,恐造成供給過剩,影響價格顯著下跌。不過,龍頭廠三星高層日前已釋出明年DRAM需求仍會持續強勢的樂觀訊息,顯示三星擴產動作會趨於謹慎。

各類型記憶體 明年恐都供過於求

外資法人則看空記憶體,有的將美光投資評等從「買進」調降為「中立」,原因是DRAM、儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的基本面愈來愈疲弱。消費性電子產品需求成長力道偏弱,加上3D NAND Flash供給持續增加,儲存型快閃記憶體今年價格比DRAM更早下跌,市場預期明年也將持續供過於求,價格會進一步走跌,但有助擴增使用容量與刺激需求增加。

  • DRAM價格連漲2年多,今年第4季已出現下跌走勢。市場預期明年成長動能將趨平緩,美光等三大廠擴產投資擴產動向將影響市況。
(記者洪友芳攝)

    DRAM價格連漲2年多,今年第4季已出現下跌走勢。市場預期明年成長動能將趨平緩,美光等三大廠擴產投資擴產動向將影響市況。 (記者洪友芳攝)

相關關鍵字: 漲價 缺貨 美光