30奈米2Gb DDR3製程 瑞晶下半年量產

2011-04-19

〔記者洪友芳/新竹報導〕DRAM廠瑞晶電子(4932)昨宣布,該公司成功試產出爾必達開發30奈米製程的2Gb DDR3,良率符合預期,預計今年下半年全面導入量產;南科(2408)、華亞科(3474)繼今年中全面轉換到42奈米製程之後,也接續展開3X奈米新世代製程試產,今年底可望量產。

瑞晶表示,試產成功的2Gb DDR3產品,為低耗電、高效能的全新30奈米製程技術,每片晶圓產出晶粒量比40奈米製程多出45%,可有效降低生產成本。

瑞晶總經理陳正坤指出,30奈米製程的2Gb DDR3試產結果,不論品質、良率均相當令公司滿意,表現超前進度,將加速進行製程轉換,預計今年下半年,將月產能8.5萬片的全產能轉換完成,並將生產4Gb DDR3,以滿足高階產品的市場需求。

台塑集團旗下DRAM廠南科、華亞科將在今年中全面轉換製程技術到42奈米,本季底計畫展開3X奈米製程DDR3產品試產,今年下半年逐季大量投產,有助降低生產成本。

南科、華亞科將在本週三舉行法說會,掀開半導體業法說會序幕,兩家公司除了第一季財報虧損幅度可望較上季縮減之外,製程技術轉換攸關第二季能否轉虧為盈,將是法人關注焦點。

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