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三星儲存型快閃記憶體（NAND flash）晶圓片展示。（美聯社）
〔編譯楊芙宜／綜合報導〕三星14日在美國加州的晶圓論壇上宣布，計畫將在2021年推出突破性3奈米製程技術閘極全環（Gate-all-around, GAA）的晶片產品。GAA被稱為當前鰭式場效電晶體（FinFET）技術進化版的生產技術，能對晶片核心的電晶體展開重新設計和改造，使其更小更快。三星希望藉此晶圓製程新技術爭取蘋果、高通、超微（AMD）等大廠合作，進一步趕超台積電（2330）、英特爾。
美國總統川普（右）與中國國家主席習近平（左）。（美聯社檔案照）
三星在加州論壇上表示，相較於目前7奈米製程的晶片產品，GAA處理器技術可提高運算效能35%、節省電力50%、晶片面積減少45%；3奈米GAA製程技術研發目前依照進度進行，4月已向顧客釋出製程設計套件（PDK）0.1版。顧問機構國際商業策略（International Business Strategies）執行長瓊斯（Handel Jones）評估，三星在GAA技術上，大概領先台積電約12個月，領先英特爾約2~3年。
台積電日前已宣布，將於2020年量產5奈米製程。三星極力追趕當前7奈米製程落後於台積電的情況。三星上月已宣布，將大幅投資近1160億美元，以擴大非記憶體晶片和晶圓代工的業務。
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