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近日美光傳出轉換到17奈米製程的DRAM生產凸槌，與三星同樣出現轉換製程不順。（路透）
〔記者洪友芳／新竹報導〕受到DRAM與NAND快閃記憶體價格上漲影響，市調機構 IC Insights昨將今年半導體市場年成長幅度上修至11%，較原預估的5%提高到一倍多，這也是近5年來半導體成長幅度最高的一年。
IC Insights指出，目前估計DRAM今年產值將較去年大幅成長39%，NAND快閃記憶體產值則估成長 22%，成長動能來自今年DRAM平均售價（ASP）上揚達37%，NAND快閃記憶體的平均售價（ASP）上升達22%，去年分別下滑12%與22%。
就DRAM而言，IC Insights表示，去年4月DRAM平均售價為2.41美元，今年元月已上升到3.6美元，漲幅達49%，主要因去年下半年PC市場需求升溫，PC用DRAM平均單價上漲幅度強勁，晶圓產出增加速度仍緩慢，預期今年DRAM漲幅強勢將持續。
IC Insights分析，今年DRAM市場總需求量預期將較去年成長3成，但產能僅成長2成，供需缺口會帶動DRAM產業成長超過預期，估今年DRAM總產值將上看573億美元，較去年成長39%，並會是全球最大半導體晶片產品，比標準個人電腦與伺服器微處理器市場的471億美元，多出102億美元。
受惠記憶體需求與ASP上揚，IC Insights預期，今年半導體產值將成長達11%，其中4%來自DRAM與NAND快閃記憶體市場，另7%則來自於非記憶體相關的半導體。過去5年，IC Insights對於半導體產值，有4年是下修或小幅成長，最高為去年年增6%，今年成長幅度首度超過兩位數。
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